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成果简介：课题组研发的具有独立知识产权的溶剂热合成纳米氧化铋单晶片方法，可合成单晶氧化铋纳米片，延（345）晶面有生长优势，厚度约40～70nm，形貌单一、尺寸分布范围窄，带隙明显蓝移至2.92eV。用于制备铋的氧化物半导体纳米材料，过程中无杂质的引入，且利于铋元素在半导体功能材料中的均匀分布，进而提高功能材料的性能。
技术优势：氧化铋单晶纳米片具有十分广阔的应用前景，是铋的氧化物半导体功能材料制备的重要原材料，制备过程无杂质的引入，纳米尺寸利于铋元素在功能材料中的均匀分布，降低烧结温度，提高功能材料的性能。
